На данный момент, стоимость мощных светодиодов, начиная от 1-го ватта и выше невелика, поэтому их с успехом можно использовать для освещения. Тем не менее, для воплощения всех положительных качеств сверхярких светодиодов, их необходимо грамотно запитать.
Имеется множество особых драйверов, однако они не всегда отвечают потребностям, да и цена у них достаточно высока. Поэтому приводим здесь схему питание мощных светодиодов от 12 вольт на дискретных радиоэлементах. Данный драйвер неплохо себя зарекомендовал на практике и наделен потенциалом гибких настроек.
Описание работы драйвера
Характеристики драйвера светодиода:
- Напряжение питания — 5 — 20 вольт;
- Максимальный ток нагрузки — до 1 ампера;
- Мощность до 15 ватт;
- Высокий КПД;
- Защита от КЗ.
Схема функционирует в импульсном режиме и построена на 2-х LM393, которые подключены по схеме понижающего преобразователя. Транзисторные ключи Q1 и Q2, управляют выходным MOSFET транзистором Q3. Мощный транзистор Q3 практически не греется, поскольку он работает в режиме ключа (либо полностью открыт, либо закрыт)
Когда данный транзистор открыт, его ток протекает через дроссель L1, светодиод и сопротивления R10, R11. После его закрытия, ток по-прежнему течет через светодиод по причине запасенной энергии в дросселе. Далее схема управления снова отпирает выходной транзистор и все начинается заново. Весь этот процесс протекает чрезвычайно быстро, с частотой в сотни килогерц.
Ток, протекающий через светодиод, идет через сопротивления R10, R11, падение напряжения с которых идет на неинвертирующий ввод преобразователя и выполняют ООС по току. Данный потенциал сопоставляется с опорным напряжением, сформированного подстроечным резистором VR1, которое поступает на инвертирующий вход. Поэтому ток остается на необходимом уровне и светодиоды запитаны стабильным источником с защитой от КЗ.
Перечень радиокомпонентов драйвера светодиодов:
- R10, R11 — 1 Ом, 1 Вт (зависит от необходимого тока)
- R8 — 10 Ом
- R3, R9 — 1 кОм
- R1, R4, R7- 4,7 кОм
- R2, R5, R6 — 10 кОм ( R2 для выходного ток 1А).
- Переменный резистор VR1 — 10 кОм .
- C5 — 22 пФ
- C2, C3 — 0,1 мкФ
- C1 — 2,2 мкФ
- C4 — 100 мкФ/35В
- L1- 47-100 мГн на ток до 1.2A
- Q1- любой n-p-n транзистор общего применения
- Q2- любой p-n-p транзистор общего применения
- Q3- p-канальный MOSFET (IRFU9024, NTD2955) с током стока более2 А, напряжение сток- исток более 30 В, напряжение отсечки не более 4 В
- D1, D2 — 1N4148 (КД522)
- D3 — SB140 диод Шоттки
- IC1 — LM393 (компаратор)